반도체 생산 기술 상한선?? 이건 또 무슨 무역전쟁??

삼성전자와 SK하이닉스가 오는 10월부터 중국에서 일정 기술 수준 이상의 고성능 반도체를 생산할 수 없을 것이라는 우려가 확산하고 있다.

 

미국 정부 고위당국자는 삼성전자와 SK하이닉스가 중국 공장에서 일정 기술 수준 이상의 반도체를 생산하지 못하도록 한도를 설정하게 될 것이라고 밝혔다.

앨런 에스테베스 상무부 산업안보 차관은 23일(현지시간) 한국국제교류재단(KF)과 전략국제문제연구소(CSIS)가 워싱턴DC에서 개최한 한미 경제안보포럼에서 삼성과 SK에 제공한 대중(對中) 반도체 수출통제 1년 유예가 끝나면 어떻게 되느냐는 질문에 "앞으로 어떻게 할지 기업들과 협의하고 있다. 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다"고 말했다.

한도의 의미에 대해 에스테베스 차관은 "지금 기업들이 어떤 '단'의 낸드를 생산하고 있다면 그 범위의 어느 수준에서 멈추게 할 것"이라고 설명했다.

 

삼성과 SK가 중국에서 생산하는 낸드는 반도체 셀을 얼마나 높게 쌓느냐는 '적층' 기술로 기술 수준을 평가한다. 에스테베스 차관의 발언은 중국이 첨단 반도체 기술을 습득하지 못하도록 삼성과 SK가 중국에서 일정 단 이상의 반도체를 생산하지 못하게 하겠다는 의미로 해석된다.

 

에스테베스 차관은 이어 "(어디까지 허용할지는) 중국이 어떻게 행동하느냐에 달렸지만 우리는 한국 기업들과 심도 있는 대화를 하고 있다"고 밝혔다.

그는 "중국이 우리를 위협하는 역량을 구축하는 것을 저지하는 과정에서 우리 동맹의 기업들에 피해를 주고 싶지 않다"며 "이와 관련해 (한국과) 대화를 계속하고 있다"고 말했다.

앞서 상무부는 작년 10월 7일 중국에서 반도체를 생산하는 기업에 미국산 반도체 장비를 수출하지 못 하게 하는 수출통제 조치를 발표하면서 삼성과 SK하이닉스의 중국 공장에는 1년동안 장비 수입을 포괄적으로 허용했다.

한국 정부와 삼성전자, SK하이닉스는 두 회사에 대한 반도체 수출통제 유예를 연장해줄 것을 요구하고 있다.

에스테베스 美상무부 산업안보차관

 

이날 포럼에서 에스테베스 차관은 "미국이 전 세계에서 수출통제를 이행하는 데 있어 한국은 충실한 파트너"라며 한국과 첨단기술 수출통제 협력을 확대하고 싶다는 의지를 피력했다.

그는 한국 정부가 러시아에 대한 자체 수출통제를 도입하기 전부터 한국기업들이 (미국의) 제재에 동참해 러시아로 수출을 중단했다며 감사를 표했다.

그는 첨단기술이 군사력의 기반이 되는 세상에 살고 있다며 "반도체는 그 중심에 있다"고 강조했다.

네덜란드, 일본과 추진하려는 대중 반도체 수출통제에 대해서는 "동맹과 여러 다자 대화를 하고 있다"면서 논의 내용은 적절한 시기가 될 때까지 비공개로 하겠다고 밝혔다.

향후 중국의 위협을 저지해야할 분야로 양자와 생명공학을 거론했다.

또 바세나르 등 기존 국제수출통제체제의 한계가 있어 기존 체제를 보완할 별도 협의체가 필요하다며 동맹과 관련 대화를 하고 있다고 설명했다.

박진 외교부 장관은 영상 메시지를 통해 신흥 핵심기술이 한미 경제안보 협력의 핵심이라고 강조했다.

그는 세계가 경제 침체, 고물가, 코로나19, 우크라이나 전쟁 등 복합위기(Polycrisis)에 직면했다며 "이 격동의 시기에 한국의 가장 중요한 파트너는 의심할 여지 없이 미국"이라고 말했다.

이어 "우리는 한미동맹을 반도체, 배터리, 인공지능(AI), 바이오, 양자, 우주를 비롯한 첨단기술 분야 협력에 기반을 둔 경제안보 및 기술 동맹으로 확장하고 있다"고 설명했다.

앨런 에스테베스 미국 상무부 산업안보 차관은 23일(현지시간) 한·미 경제안보포럼에서 “(10월 이후) 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도를 설정할 가능성이 크다”고 말했다. 삼성전자와 SK하이닉스에 적용 중인 대중(對中) 반도체 장비·기술 수출통제 1년 유예가 끝나면 어떻게 할 것인지를 묻자 내놓은 답이다. 유예 기간을 연장하지 않는 것은 물론 중국 내 반도체 생산에 대한 추가 규제를 시사한 발언이다.

미 상무부는 지난해 10월 18㎚ 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시, 16㎚ 이하 시스템반도체를 생산할 수 있는 장비와 기술을 중국에 판매할 때 별도로 허가받도록 했다. 다만 삼성전자와 SK하이닉스는 1년간 유예해줬다.

수출 제한 유예 종료에 이어 생산 규제까지 발효되면 삼성전자와 SK하이닉스는 큰 피해를 볼 전망이다. 삼성전자는 중국 시안(낸드플래시)·쑤저우(패키징), SK하이닉스는 우시(D램)·다롄(낸드플래시)·충칭(패키징)에 공장을 운영하고 있다. 시안 공장은 삼성전자 전체 낸드플래시 생산량의 약 40%를, 우시 공장은 SK하이닉스 전체 D램 생산량의 약 48%를 차지한다. 업계 관계자는 “공식 발표는 아니지만 이대로 규제가 발효 또는 강화되면 첨단 반도체 생산에 차질이 클 것”이라고 말했다. 중국 생산 비중을 줄여야 한다는 얘기까지 나오고 있다.

상황이 풀릴 여지가 아예 없는 것은 아니다. 에스테베스 차관은 “중국이 우리를 위협하는 역량을 구축하는 것을 저지하는 과정에서 동맹국 기업에 피해를 주고 싶지 않다”며 “(한국과) 계속 대화하고 있다”고 했다. 정부도 한국 기업 입장이 반영되도록 미국 측에 수출 제한 유예 연장을 적극 요청한다는 방침이다.

구형 반도체만 만들라니…삼성·SK 中공장 '싸구려 기지' 전락할 판
美 '반도체 통제'에 비상…기술 제한에 삼성·SK '날벼락'

258억달러(약 33조원). 삼성전자가 2012년 이후 중국 시안 낸드플래시 공장에 투자한 누적 금액이다. 이재용 삼성전자 회장은 2020년 5월 코로나19를 뚫고 시안 공장을 전격 방문할 정도로 공을 들였다. 하지만 미국 정부가 중국에 있는 반도체 공장에 대한 생산 규제를 예고하면서 삼성의 공든 탑은 무너질 위기에 처했다.

○“중국에서 첨단 제품 생산 말라”

24일 외신과 산업계에 따르면 미국 정부는 삼성전자와 SK하이닉스에 ‘중국 반도체 공장에서 첨단 제품을 생산하지 말 것’을 요구하는 방안을 검토하고 있다. 앨런 에스테베스 미국 상무부 차관은 23일(현지시간) 워싱턴DC에서 열린 한·미 경제안보포럼에서 “기업이 (중국에서) 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다”며 “지금 기업들이 어떤 ‘단’의 낸드를 생산하고 있다면 그 범위의 어느 수준에서 멈추게 할 것”이라고 말했다.

D램 제품은 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c 등으로 구분된다. 숫자 1은 회로의 폭인 ‘10㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)’를 나타내고 알파벳은 제품의 세대를 뜻한다. x에서 c로 갈수록 최신형이다. 낸드플래시는 셀(저장공간)을 수직으로 쌓은 정도를 뜻하는 ‘적층 단수’가 기술력의 척도다. 96단, 128단, 176단, 192단 등으로 구분된다.

○구형 제품만 생산하면 경쟁력 저하

삼성전자는 중국 시안 공장에서 낸드플래시를 만들고, SK하이닉스는 우시 공장에서 D램을 생산한다. 두 회사 모두 ‘최첨단’ 제품은 아니지만 ‘첨단’이라고 부를 수 있을 정도의 신형 반도체를 양산해 중국 업체 등에 납품 중이다. 삼성전자는 주력 제품인 176·192단보다 낮은 128단 낸드플래시, SK하이닉스는 1y·1z D램 등을 양산하는 것으로 추정된다. 에스테베스 차관의 발언대로라면 두 회사는 현재 중국 공장에서 양산하는 제품보다 고성능 칩을 만드는 게 사실상 불가능해진다.

지금 당장보다는 2~3년 뒤에 문제가 커질 것으로 전망된다. 메모리반도체는 최첨단 제품을 효율적으로 생산해 적시에 대량공급하는 게 중요한데, 미국의 조치가 현실화하면 삼성전자와 SK하이닉스는 중국 공장에서 ‘구형’ 제품을 만들 수밖에 없다.

두 회사 모두 작지 않은 규모의 손실이 예상된다. 삼성전자 낸드플래시 전체 생산량에서 중국 시안 공장의 비중은 30%대 후반이다. SK하이닉스도 2017년 추가 투자를 단행해 생산능력을 키웠다. SK하이닉스 전체 D램 생산량에서 우시공장의 몫은 48% 안팎으로 추산된다. 반도체업계 관계자는 “삼성과 SK의 중국 반도체 누적 투자 규모는 50조원 이상”이라며 “중국에서 첨단 제품을 생산해 현지 업체 중심으로 판매한다는 한국 기업들의 전략에 차질이 생기고 있다”고 분석했다.

○한국 반도체 ‘탈중국’ 가시화 전망

한국 기업들은 지난해부터 미국의 규제로 중국 공장이 받게 될 부정적인 영향을 최소화하는 데 주력하고 있다. 지난해 10월 미국 정부가 고성능 컴퓨팅용 칩, 특정 수준 이상의 첨단 반도체 생산에 활용되는 장비의 중국 반입을 금지했지만 국내 기업들은 ‘1년 유예’를 받았다. 이런 상황에서 미국 정부가 첨단 제품 생산 규제 카드를 만지작거리자 반도체업계에선 “당황스럽다”는 얘기가 나오고 있다.

산업통상자원부는 “한·미 정부 간 미래 기술 수준 한도 설정에 대해 구체적으로 논의한 바는 없다”고 밝혔다. 그러면서 “한·미 양국은 중국 내 우리 반도체 기업이 운영 중이거나 투자를 진행 중인 생산을 저해하지 않는다는 데 공감대를 형성했다”며 “미국 측과 포괄허가의 연장과 미래 기술 수준 설정 논의를 긴밀히 해나갈 예정”이라고 했다.

국내 반도체 기업들의 탈(脫)중국 전략이 가시화할 것이란 전망도 나온다. 삼성전자는 메모리반도체 생산시설을 미국 테일러시에 짓고 있는 신공장에 설치하는 방안을 검토 중인 것으로 알려졌다. SK하이닉스 역시 지난해 10월 “생산 거점을 다변화하는 것은 중장기 시각에서 필수불가결하다”고 밝혔다.

 

앨런 에스테베스 상무부 산업안보 차관은 23일(현지시간) 한국국제교류재단(KF)과 전략국제문제연구소(CSIS)가 워싱턴DC에서 개최한 한미 경제안보포럼에서 삼성과 SK에 제공한 '대중(對中) 반도체 수출통제 1년 유예'가 끝나면 어떻게 되느냐는 질문에 "앞으로 어떻게 할지 기업들과 협의하고 있다. 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다"고 말했습니다.

'한도' 의미에 대해 에스테베스 차관은 "지금 기업들이 어떤 '단'의 낸드를 생산하고 있다면 그 범위의 어느 수준에서 멈추게 할 것"이라고 설명했습니다.

 

삼성과 SK가 중국에서 생산하는 낸드는 반도체 셀을 얼마나 높게 쌓느냐는 '적층' 기술로 기술 수준을 평가합니다.

 

따라서 그의 발언은 중국이 첨단 반도체 기술을 습득하지 못하도록 삼성과 SK가 중국에서 일정 단 이상의 반도체를 생산하지 못 하게 하겠다는 것으로 보입니다.

미국 정부는 자국 내 반도체 생산 장려를 위해 기업에 지급하는 총 390억달러(약 50조원) 상당의 보조금 신청을 오는 28일부터 받습니다.

미국은 중국에 신규 투자를 하지 않는 기업에만 보조금을 주겠다는 입장이어서 중국 반도체 공장을 운영 중인 삼성전자와 SK하이닉스가 보조금을 받을 수 있을지 주목됩니다.

 

삼성전자와 SK하이닉스가 앞으로는 중국 공장에서 일정 기술 수준 이상의 반도체를 생산하지 못할 가능성이 커졌습니다.

오늘 워싱턴 DC에서 열린 토론회에서 미국 상무부 산업 안보 담당 앨런 에스테베스 차관은 두 기업이 중국에서 생산하는 반도체 수준에 상한을 둘 가능성이 있다고 밝혔습니다.

[앨런 에스테베스/미국 상무부 차관]
"두 회사와 앞으로의 일을 논의하고 있습니다. 중국에서 생산하는 수준에 한도를 둘 가능성이 있습니다."

미국은 작년 10월 중국에서 반도체를 생산하는 기업에 대한 수출 통제 조치를 발표하면서, 삼성과 SK의 중국 공장에는 1년 유예를 허용했습니다.

 

하지만 유예 조치가 끝나는 올 10월에 중국에서의 반도체 생산에 제한 조치를 하겠다는 겁니다.

두 기업이 중국에서 만들고 있는 낸드는 반도체 셀을 얼마나 높게 쌓는지 레이어, 즉 적층 기술로 기술 수준을 평가하는데, 여기에 상한을 둘 가능성이 있습니다.

[앨런 에스테베스/미국 상무부 차관]
"어떤 레이어의 낸드를 생산하든지 일정 범위에서 멈추게 할 것입니다. 중국이 어떻게 하느냐에 달려있지만 관련된 회사들과 깊이 있는 논의를 하고 있습니다."

에스테베스 차관은 첨단기술이 군사력의 기반이고, 특히 반도체가 첨단 기술의 중심이라며, 이에 대한 기술 통제를 더욱 강화할 것임을 시사했습니다.

그러면서 반도체 분야에서 중국을 견제하는데 한국이 핵심적인 파트너라고 거듭 밝혔습니다.

한국 정부와 기업들은 반도체 수출통제 유예 연장을 요구하고 있습니다.

하지만 오늘 미국 정부 관계자의 발언은 삼성과 SK 역시 수출 통제 조치를 예외 없이 적용받게 될 거란 의미로 풀이됩니다.

 

삼성전자와 SK하이닉스 등에서 생산하는 첨단 낸드 플래시 메모리 반도체의 중국 내 생산이 향후 막힐 것이란 우려가 커지고 있다. 현재 글로벌 기업들은 적층을 통한 낸드 제품 최신화 경쟁에 한창이다. SK하이닉스가 238단, 마이크론이 232단을 개발한 가운데 중국 최대 메모리 반도체 회사 YMTC(양쯔메모리테크놀로지) 역시 232단 기술을 확보한 것으로 업계에 알려졌다. 삼성전자는 8세대 V낸드(236단) 양산을 시작한 가운데 2024년 양산 계획 중인 9세대 V낸드가 280단 대인 것으로 알려졌다.

낸드는 반도체 셀을 얼마나 높게 쌓느냐는 ‘적층’ 기술이 핵심 경쟁력이다. 고성능의 200단 이상 낸드 경쟁이 진행되는 상황에서 국내 기업들의 첨단 낸드 제조 물량 상당 부분이 중국 공장에서 막힐 가능성이 제기되는 것이다. D램 역시 최신 미세 공정에 대한 제한 가능성이 대두되고 있다.

문제는 삼성전자와 SK하이닉스가 진행 중인 중국 내 공장 투자와 생산 규모가 막대하다는 점이다.

삼성전자는 시안에 낸드 플래시 공장 2개를 가지고 있다. 시안 1공장은 2012년 70억달러(약 8조4000억원)를 투자해 2014년 5월에 완공된 후, 약 40억달러(약 4조8000억원)를 추가 투자해 반도체 후공정(테스트·패키징) 라인을 완성했다. 삼성전자 시안2공장은 2017년 70억달러를 투자 및 건설에 착수해 2020년 3월에 양산을 시작했고, 2019년 80억달러(약 9조6000억원)를 추가 투입해 규모를 확장했다.

 

삼성전자 시안1·2공장은 삼성전자 낸드 플래시 물량의 40%를 생산한다. 2022년 3분기 삼성이 낸드 플래시 세계 시장점유율(스태티스타 기준)이 31.3%를 차지한 것을 고려하면 세계 낸드 플래시 메모리의 약 12%가 중국에서 생산되는 셈이다.

SK하이닉스는 우시에 2개의 D램 메모리 생산라인을 가지고 있다. SK하이닉스 우시 1라인(C2)은 2004년 착공해 2006년부터 D램 양산에 들어갔다. SK하이닉스 우시 2라인(C2F)은 2017년 6월 차입 35억달러(약 4조원)와 SK하이닉스 투자 8억4000만달러(약 1조원)를 투입해 2019년 4월 완성했다. SK하이닉스 우시 1·2라인에서 생산한 제품은 SK하이닉스 D램 물량의 48%를 차지한다.

SK하이닉스는 2021년 말 중국 다롄에 있는 인텔의 낸드 플래시 메모리 반도체 공장을 인수하고, 지난해 5월부터 보완투자를 진행 중이다. SK하이닉스에 인수되기 이전인 2021년 4분기 솔리다임 낸드 플래시 세계 시장점유율은 5.4%였다.

이런 가운데 삼성전자와 SK하이닉스는 중국을 벗어난 공장 다변화에 신중한 입장이다. 그러나 이미 두 회사가 모두 공언했던 생산 거점 다변화에 더욱 속도가 붙을 수밖에 없을 것이란 분석이다.

지난해 4분기 컨퍼런스콜에서 삼성전자 관계자는 “중국에 팹을 안정적으로 운영하기까지 오랜 시간이 소요됐으며 이미 많은 투자가 이뤄졌기 때문에 매우 신중한 검토가 필요한 사안”이라며 “국내외를 망라한 신규 생산 거점을 확보하는 것에 대해 다양한 조건과 가능성을 열어 놓고 여러 사항을 검토할 예정”이라고 밝힌 바 있다. 지난해 3분기 콘퍼런스콜에서 SK하이닉스 관계자는 “굉장히 좀 불확실한 상황으로 흘러가고 있는 것 같다”며 “생산의 거점을 다변화하는 것은 중장기 텀으로 보면 필수 불가결한 것으로 보여진다”고 했다.

김양팽 산업연구원 전문연구원은 “중국 시장을 국내 기업이 완전히 벗어나기 어려울 것”이라며 “단기적으로는 첨단 제품을 중국이 아닌 한국 등 다른 지역에서 만드는 것으로 대응하면서, 장기적으로는 생산거점 다변화 검토 가능성이 커질 수 있다”고 분석했다. 

 

출처: 연합뉴스, 한국경제, 더팩트, 이데일리, 헤럴드경제, 서울경제